Танталовый лист 8х130х100 мм ТВЧ в Махачкале

Для оборудования, работающего с фосфорной кислотой высокой концентрации (85%), лучше всего подходит танталовый лист марки ТВЧ. Его высокая чистота и присущая танталу пассивность обеспечивают превосходную коррозионную стойкость в горячей концентрированной фосфорной кислоте.

Минимальная толщина танталового листа, производимого промышленно, может составлять 0.02 мм (в виде фольги), а максимальная толщина обычно достигает 10 мм и более для специальных применений, хотя наиболее распространены толщины от 0.1 мм до 5 мм.

Выбор метода поверхностной обработки танталового листа, такого как травление или полировка, может влиять на его коррозионную стойкость. Химическое травление может пассивировать поверхность, улучшая стойкость. Механическая полировка создает более гладкую поверхность, уменьшая места для начала коррозии, но может вызывать поверхностный наклеп.

Для оценки качества сварных швов танталового листа применяют методы неразрушающего контроля: рентгенографический контроль, ультразвуковая дефектоскопия, капиллярный или магнитопорошковый контроль (для поверхностных дефектов), а также визуальный осмотр. Эти методы позволяют выявить внутренние и поверхностные дефекты.

Даже незначительные примеси в танталовом листе марки ТВЧ могут негативно сказаться на его устойчивости к каустической соде. Тантал чувствителен к щелочам при высоких температурах. Примеси, особенно металлы с более низким потенциалом, могут ускорять коррозию, вызывая локальные разрушения. Для щелочных сред критична максимальная чистота.

Оба типа танталового листа, ТВЧ и ТаВ, подвержены коррозии в расплавленных щелочах, особенно при высоких температурах. Тантал вступает в реакцию с щелочами, образуя танталаты. Различия в устойчивости между ТВЧ и ТаВ будут незначительными и зависят от конкретного состава и температуры щелочи.

Для использования в качестве фольги для конденсаторов подходит танталовый лист марки ТВЧ толщиной 0.1 мм и тоньше. Его высокая чистота тантала обеспечивает низкие токи утечки и стабильные диэлектрические свойства после формирования анодного оксидного слоя, что критично для электронных компонентов.