Танталовый лист 0,4х60х100 мм ТВЧ в Махачкале

Минимальная толщина танталового листа, производимого промышленно, может составлять 0.02 мм (в виде фольги), а максимальная толщина обычно достигает 10 мм и более для специальных применений, хотя наиболее распространены толщины от 0.1 мм до 5 мм.

Танталовый лист марки ТВЧ сохраняет свою пластичность и не подвержен хладноломкости при низких температурах, вплоть до -196°C. Это свойство делает его пригодным для криогенных применений, где большинство других металлов становятся хрупкими.

Для повышения твердости танталового листа могут применяться покрытия, такие как нитрид тантала (TaN) или карбид тантала (TaC), нанесенные методами физического или химического осаждения из газовой фазы. Эти покрытия значительно увеличивают износостойкость поверхности при сохранении коррозионной стойкости основы.

Танталовый лист марки ТВЧ сохраняет свои свойства в широком спектре кислых сред при температурах выше 150°C. Это включает концентрированные серную, соляную, фосфорную, хромовую кислоты, а также большинство органических кислот. Исключения составляют фтористоводородная кислота и среды, содержащие фторид-ионы.

Коррозионная стойкость танталового листа марки ТВЧ в азотной кислоте сохраняется на высоком уровне даже при повышении концентрации до 98%. Тантал пассивируется в таких средах, образуя защитную оксидную пленку. Он остается стабильным и подходит для работы с концентрированной азотной кислотой.

Химический состав исходного сырья для танталового листа, особенно содержание кислорода, азота, углерода и водорода, оказывает существенное влияние на его конечное качество. Высокая чистота исходного сырья необходима для получения тантала с оптимальными механическими и коррозионными свойствами.

Танталовый лист марки ТВ-5, содержащий 5% вольфрама, дает преимущества при изготовлении высокоточных деталей благодаря своей повышенной прочности и твердости по сравнению с чистым танталом. Это обеспечивает лучшую стабильность размеров после механической обработки и формовки, минимизируя деформации.